Re: Еще бы не настаивать


Автор сообщения: Покровский
Дата и время сообщения: 20 March 2005 at 04:33:47:

В ответ на сообщение: Re: Еще бы не настаивать

Чертовщина! Не прошел текст, в котором я все подробно объяснил Марине. И это не впервые. Значит, - не судьба!

Ладно. Еще раз.

Электронный микроскоп может использоваться и как прожектор с лучами из электронов, позволяющими разглядеть объекты, которые невозможно увидеть в оптический микроскоп. Но он же может использоваться в другом амплуа. - Как дифракционный прибор. Кристалл, имеющий системы межатомных плоскостей, ведет себя по отношению к рентгеновским волнам или электронным волнам - как обычная дифракционная решетка по отношению к оптическому излучению. Электронная фотография кристаллика представляет собой центральный максимум - картинка как картинка - ничего интересного. И расположенные концентрически вокруг нее еще несколько изображений. Это максимумы дифракции первого, второго и т.д. порядков. По углам на эти изображения можно рассчитать межплоскостные расстояния в кристаллике.

Рентгеновская дифрактограмма в этом смысле несколько проще идейно. Но у рентгеновского излучения есть неприятная особенность - двойная линия, соответствующая двум близким электронным состояниям с разнами спинами электрона. И вот эта двойная линия иногда делает картинку очень трудно дешифруемой.

Так вот. Кристалл, оказавшийся на поверхности, перестает испытывать всестороннее сжатие со стороны остального камня. И в нем возникают условия для диффузии каких то атомов наружу, каких-то вовнутрь. При достаточной выдержке у поверхности это должно приводить к определенным изменениям в межплоскостных расстояниях. Которые можно вычислить по ЭМ изображению.

Если в камне из-за длительной выдержки в контакте с поверхностью произошла замена каких-то элементов в узлах решетки на другие - то может возникнуть система двух сдвинутых относительно друг друга изображений во всех максимумах. Это будет соответствовать тому, что кристаллик расслоился на две сходные структуры одного типа - с начальным составом и с примесным. Если химические изменения зашли достаточно далеко, то внутри кристаллика могут возникать вообще различные системы кристаллических подрешеток. Одна, например, объемноцентрированная(ОЦК), другая - гранецентрированная(ГЦК). У каждой из них свои системы запрещенных и разрешенных т.н. индексов Миллера, которые связаны с последовательностью разрешенных направлений на максимумы.

Количественной характеристикой изменений будет относительная яркость основной структуры и новых структур.

Смотрим далее. Обработка камня приводит к возникновению большого количества крупных нарушений - сдвигов кусков плоскостей относительно друг друга - т.н. дислокаций. Они не стоят на месте. При повышенных температурах они достаточно быстро находят свои пары - рекомбинируют. А при малых температурах типа комнатной - этот процесс может растягиваться на века. И это тоже отразится на ЭМ-изображении. Оно будет либо более размытым в дифракционных максимумах ненулевого порядка, либо менее размытым. Свежеобработанный камень - будет иметь более размытые боковые максимумы. В полежавшем века камне дислокации в значительной мере рекомбинируют. И изображения в боковых максимумах должны быть четче. И здесь тоже возможно установление количественной меры - по размеру точек на уровне половинной яркости.

Информация от ЭМ - гораздо богаче простого увеличения изображения.


1976. Академик РАН Фоменко настаивает - gorm 17:45 17.03.05 (193)